蝕刻磊晶與微機電製作
儀器設備
| 儀器設備 | 設備狀況查詢 |
| 設備 編號 |
設備名稱 | 聯絡窗口 | 開放 等級 |
設備 介紹 |
訓練 考核 |
|---|---|---|---|---|---|
| E01 | TCP poly etcher-多晶矽乾式蝕刻機 | 吳志明 7547 |
B2 |  |
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| E02 | TEL oxide etcher-氧化矽乾式蝕刻機 | 吳志明 7547 |
B1 | |
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| E04 | Ozone asher-乾式光阻去除機 | 段佑宗 7521 |
B1 | |
|
| E05 | Metal etcher-金屬層乾式蝕刻機 | 楊忠諺 7726 |
B2 | |
|
| E06 | P-10 surface profiler-表面輪廓量測儀 | 呂明霈 7734 |
B1 | |
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| E07 | Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 | 吳大為 7638 |
B1 | |
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| E08 | TCP9600 CF-E08 金屬乾式蝕刻機 | 薛富國 7557 |
B2 | |
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| E09 | ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 | 許倬綸 7651 |
B2 | |
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| M11 | Laser Marker-雷射刻號機 | 巫振榮 7698 |
B4 | |
|
| S01 | JETFIRST RTP-高介電材料快速退火爐 | 吳大為 7638 |
B2 | |
|
| S02 | KORONA RTP 800-急速升溫退火爐 | 吳大為 7638 |
B3 | |
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| S03 | AG-610i-快速退火爐 | 羅智鴻 7506 |
B1 | |
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| S04 | AG-610-金屬快速退火爐 | 段佑宗 7521 |
B1 | |
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| T03 | Horizontal Furnace - 水平爐管 | 巫振榮 7698 |
B2 | |
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| T04 | MOCVD-有機金屬高介電薄膜沉積系統 | 邱文政 7569 |
B3 | |
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| T07 | ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 | 吳大為 7638 |
B3 | |
|
| T13 | Vertical furnace-垂直爐管 | 謝錦龍 7650 |
B4 | |
|
| T15 | Atmospheric Anneal Furnace-後段常壓退火爐管 | 謝錦龍 7650 |
B1 | |
|
| T17 | Backend vacuum annealing furnace-後段真空退火爐管 | 謝錦龍 7650 |
B1 | |
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| 設備介紹 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 編號 | 設備名稱 | 儀器 簡介 |
技術 資料 |
標準 製程 |
注意 事項 |
委託 申請 |
| E01 | TCP poly etcher-多晶矽乾式蝕刻機 | E1-A | E1-B | E1-C | E1-D | 請至對外服務系統申請 |
| E02 | TEL oxide etcher-氧化矽乾式蝕刻機 | E2-A | E2-B | E2-C | E2-D | |
| E04 | Ozone asher-乾式光阻去除機 | E4-A | E4-B | E4-C | E4-D | |
| E05 | Metal etcher-金屬層乾式蝕刻機 | E5-A | E5-B | E5-C | E5-D | |
| E06 | P-10 surface profiler-表面輪廓量測儀 | E6-A | E6-B | E6-C | E6-D | |
| E07 | Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 | E7-A | E7-B | E7-C | E7-D | |
| E08 | TCP9600 CF-E08 金屬乾式蝕刻機 | E8-A | E8-B | E8-C | E8-D | |
| E09 | ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 | E9-A | E9-B | E9-C | E9-D | |
| M2 | Nanoindentor-奈米壓痕儀 | M2-A | M2-B | M2-C | M2-D | |
| M11 | Laser Marker-雷射刻號機 | M11A | --- | M11C | M11D | |
| S01 | JETFIRST RTP-高介電材料快速退火爐 | S1-A | S1-B | S1-C | S1-D | |
| S02 | KORONA RTP 800-急速升溫退火爐 | S2-A | S2-B | S2-C | S2-D | |
| S03 | AG-610i-快速退火爐 | S3-A | S3-B | S3-C | S3-D | |
| S04 | AG-610-金屬快速退火爐 | S4-A | S4-B | S4-C | S4-D | |
| T03 | Horizontal Furnace - 水平爐管 | T3-A | T3-B | T3-C | T3-D | |
| T04 | MOCVD-有機金屬高介電薄膜沉積系統 | T4-A | --- | T4-C | T4-D | |
| T07 | ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 | T7-A | T7-B | T7-C | T7-D | |
| T13 | Vertical furnace-垂直爐管 | T13A | T13B | T13C | T13D | |
| T15 | Atmospheric Anneal Furnace-後段常壓退火爐管 | T15A | T15B | T15C | T15D | |
| T17 | Backend vacuum annealing furnace-後段真空退火爐管 | T17A | T17B | T17C | T17D | |
| 訓練考核 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 編號 | 設備名稱 | 標準作 業程序 |
考核項 目清單 |
設備 考核表 |
| E01 | TCP poly etcher-多晶矽乾式蝕刻機 | E1-E | E1-F | E1-H |
| E02 | TEL oxide etcher-氧化矽乾式蝕刻機 | E2-E | E2-F | E2-H |
| E04 | Ozone asher-乾式光阻去除機 | E4-E | E4-F | E4-H |
| E05 | Metal etcher-金屬層乾式蝕刻機 | E5-E | E5-F | E5-H |
| E06 | P-10 surface profiler-表面輪廓量測儀 | E6-E | E6-F | E6-H |
| E07 | Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 | E7-E | E7-F | E7-H |
| E08 | TCP9600 CF-E08 金屬乾式蝕刻機 | E8-E | E8-F | E8-H |
| E09 | ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 | E9-E | E9-F | E9-H |
| M02 | Nanoindentor-奈米壓痕儀 | M2-E | M2-F | M2-H |
| M11 | Laser Marker-雷射刻號機 | M11-E | M11-F | M11-H |
| S01 | JETFIRST RTP-高介電材料快速退火爐 | S1-E | S1-F | S1-H |
| S02 | KORONA RTP 800-急速升溫退火爐 | S2-E | S2-F | S2-H |
| S03 | AG-610i-快速退火爐 | S3-E | S3-F | S3-H |
| S04 | AG-610-金屬快速退火爐 | S4-E | S4-F | S4-H |
| T03 | Horizontal Furnace - 水平爐管 | T3-E | T3-F | T3-H |
| T04 | MOCVD-有機金屬高介電薄膜沉積系統 | T4-E | T4-F | T4-H |
| T07 | ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 | T7-E | T7-F | T7-H |
| T13 | Vertical furnace-垂直爐管 | T13-E | T13-F | T13-H |
| T15 | Atmospheric Anneal Furnace-後段常壓退火爐管 | T15-E | T15-F | T15-H |
| T17 | Backend vacuum annealing furnace-後段真空退火爐管 | T17-E | T17-F | T17H |
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