| 機台編號 | 設備名稱 | 自行操作 | 委託代工 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 開機費(元/次) | 使用費 | ||||||
| 開機費 (元/次) |
使用費 (元/分) |
學界 (元/分) |
業界 (元/時) |
||||
| CF-L01 | JEOL e-beam電子束光罩製作系統 | 不開放 | 0 | 78 | 6,200 | ||
| JEOL e-beam電子束光罩製作系統 | 光罩圖案佈局-審核 | 不開放 | 0 | 900 元/時 |
900 元 |
||
| 光罩圖案佈局-修改 | 不開放 | 0 | 1,300 元/時 |
1,300 元 |
|||
| 石英光罩製作必須額外支付材料費 | 不開放 | 4,000 元/片 |
|||||
| 玻璃罩製作必須額外支付材料費 | 不開放 | 1,000 元/片 |
|||||
| CF-L02 | Leica e-beam電子束直寫系統 | 0 | 167 | 0 | 217 | 26,000 | |
| CF-L05 | I-line stepper-I-line 光學步進機 | 0 | 200 | 30,000 (業界) |
250 | 27,500 | |
| CF-L06 | In-line SEM-線上電子顯微鏡 | 0 | 1 元/秒 |
20,000 (業界) |
178 | 13,200 | |
| CF-L09 | Track-自動化光阻塗佈及顯影系統 | 0 | 2 元/秒 |
20,000 (業界) |
203 | 14,150 | |
| CF-L12 | ELS7500電子束直寫微影系統 | 0 | 35 | 20,000 (業界) |
52 | 6,000 | |
| CF-L13 | FIB-離子束電子束雙束系統 | 委託代工服務 | 不開放 | 0 | 4,500 元/時 |
7,000 | |
| 委託TEM樣品製備 | 不開放 | 0 | 10,500 元/個 |
15,000 元/個 |
|||
| CF-L14 | 奈米壓印機(Nanoimprint) | 0 | 0.5 元/秒 |
不開放 | |||
| CF-E01 | TCP 9400多晶矽乾式蝕刻機(TCP POLY-SILICON ETCHER) | 0 | 25 | 0 | 91 | 6,000 | |
| CF-E02 | TEL 5000 氧化矽乾蝕刻系統(OXIDE ETCHER) | 0 | 37 | 0 | 75 | 5,500 | |
| CF-E04 | 乾式光阻去除機(FUSION OZONE ASHER) | 0 | 17 | 0 | 67 | 4,800 | |
| CF-E05 | 金屬蝕刻系統(METAL ETCHER) | 0 | 53 | 0 | 87 | 6,800 | |
| CF-E06 | 表面輪廓量測儀(SURFACE PROFILER) | 0 | 19 | 1,000 | 37 | 3,240 | |
| CF-E07 | Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 | 0 | 42 | 0 | 79 | 5,500 | |
| CF-E08 | Lam TCP9600 metal etcher金屬乾式蝕刻機 | 0 | 25 | 0 | 91 | 6,000 | |
| CF-E09 | ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 | 業界: 2,000 (暫不開放自行操作) |
71 | 4,000 (業界) |
100 | 7,000 | |
| CF-E10 | Lam2300 多晶矽及介電層乾式蝕刻機台 | 不開放 | 0 | 108 | 8,600 | ||
| CF-T02 | 多功能真空濺鍍系統(SPUTTERING) | 0 | 26 | 0 | 2,400 元/時 |
2,400 | |
| CF-T03 | 水平爐管 Horizontal Furnace |
T01 Poly Si | 0 | 0.3 元/秒 |
0 | 1,000 元/時 |
1,000 |
| T02 Nitride | 0 | 0.5 元/秒 |
0 | 2,000 元/時 |
2,000 | ||
| T03 TEOS | 0 | 0.6 元/秒 |
0 | 2,500 元/時 |
2,500 | ||
| T04 SiGe | 0 | 0.3 元/秒 |
0 | 1,100 元/時 |
1,100 | ||
| T05 Wet Oxide | 0 | 20 | 0 | 20 | 1,000 | ||
| T05、6、7 Dry Oxide | 0 | 20 | 0 | 1,200 元/時 |
1,200 | ||
| T06 Drive-In | 0 | 20 | 0 | 20 | 1,200 | ||
| T07 P+ Anneal | 0 | 20 | 0 | 20 | 1,700 | ||
| T08 H2 Sinter | 0 | 0.5 元/秒 |
0 | 2,000 元/時 |
2,000 | ||
| CF-T04 | MOCVD | 不開放 | 0 | 77 | 5,400 | ||
| CF-T06 | 高密度電漿化學氣相沉積系統(HDPCVD) | 0 | 24 | 1,000 | 48 | 5,350 | |
| CF-T07 | ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 | 0 | 25 | 0 | 91 | 6,000 | |
| CF-T12 | Spin coater Low-k材料旋塗機 | 0 | 0.1 元/秒 |
0 | 360 元/時 |
360 | |
| CF-T13 | 垂直爐管 Vertical furnace |
HF Vapour clean | 不開放 | 0 | 27 | 1,700 | |
| Dry Oxide | 不開放 | 0 | 27 | 1,500 | |||
| Wet Oxide | 不開放 | 0 | 27 | 1,600 | |||
| Insitu Doped Poly | 不開放 | 0 | 27 | 2,000 | |||
| CF-T15 | 後段常壓退火爐管Backend Atmospheric Anneal Furnace | 0 | 0.2 元/秒 |
0 | 720 元/時 |
720 | |
| CF-T17 | 後段真空退火爐管Backend Vacuum Anneal Furnace | 1,000 | 25 | 1,000 | 52 | 4,090 | |
| CF-T19 | Oxford PECVD電漿輔助化學氣相沈積系統 | 0 | 43 | 1,000 | 75 | 5,500 | |
| CF-T21 | 電子束度蒸度系統 E-gun system | 2,000 | 13 | 3,000 | 30 | 2,000 | |
| CF-T23 | FSE Cluster PVD / 多層金屬濺鍍系統 | 4,000(業界) | 77 | 4,000 (業界) |
110 | 8,000 | |
| CF-T24 | 低溫碳奈米管化學氣相沈積系統 | 0 | 58 | 不開放 | |||
| CF-T25 | WCVD/鎢金屬化學氣相沉積系統 |
學界: 1,000 業界: 4,000 (暫不開放自行操作) |
102 |
學界: 1,000 業界: 4,000 |
139 | 9,000 | |
| CF-T26 | 前段化學氣相沉積系統 | -- | 不開放 | 0 | 117 | 117 元/分 |
|
| CF-T27 | RTP-急速升溫退火系統 | -- | 不開放 | 0 | 99 | 99 元/分 |
|
| CF-C01 | CMP化學機械研磨系統 | 0 | 73 | 1,000 | 106 | 6,940 | |
| CF-C02 | Post-cleaner Process化學機械拋光後清洗機 | 0 | 25 | 1,000 | 76 | 4,550 | |
| CF-C03 | WET BENCH後段清洗蝕刻工作機台 | 非金屬薄膜製程 | 0 | 22 | 0 | 38 | 2,448 |
| 金屬薄膜製程 | 0 | 22 | 0 | 38 | 2,448 | ||
| CF-C05 | 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 爐管前-H2SO4 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 爐管前-HCL | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 爐管前-DHF | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 爐管前-NH4OH | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 光阻區-H2SO4 #1 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 光阻區-H2SO4 #2 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 光阻區 B.O.E.7:1 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | 光阻區-金屬層去光阻 Metal P.R.Stripping | 0 | 60 | 0 | 89 | 7,250 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | H3PO4(8吋) | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench | B.O.E.7:1 (8吋) | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| CF-C06 | 後段化學清洗蝕刻工作站 | H2SO4 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 |
| 後段化學清洗蝕刻工作站 | B.O.E.7:1 | 0 | 60 | 0 | 89 | 6,100 | |
| CF-C07 | 銅電鍍系統 Cu electroplating | 0 | 0.97 元/秒 |
0 | 3,450 元/時 |
3,450 | |
| CF-C08 | 8英吋化學機械研磨系統 |
學界: 1,500 業界: 4,000 (暫不開放自行操作) |
83 |
學界: 1,500 業界: 5,000 |
133 | 9,000 | |
| CF-S01 | JETFIRST RTP高介電材料快速退火爐 | 0 | 15 | 2,000 | 48 | 3,600 | |
| CF-S02 | KORONA RTP 800急速升溫退火爐 | 0 | 18 | 2,000 | 52 | 3,925 | |
| RDT-002 | AG-610i快速退火爐 | 不開放 | 2,000 | 53 | 3,580 | ||
| CF-S04 | AG-610金屬快速退火爐 | 0 | 18 | 2,000 | 52 | 3,580 | |
| CF-S06 | 中電流離子佈植機Implantation (Medium Cruuent) | factor=0.5,學界 | 不開放 | 0 | 4,130 元/時 |
-- | |
| factor=1.0,業界 | 不開放 | 0 | -- | 5,500 | |||
| CF-S07 | 雷射製程系統 | 不開放 | 1,000 | 41 | 4,000 | ||
| CF-M01 | TXRF全反射X光螢光光譜儀 | 0 | 19 | 800 | 36 | 4,800 | |
| CF-M02 | Nanoindentor奈米壓痕儀 | 1,500 | 10 | 1,500 | 24 | 1,500 | |
| CF-M03 | 真空電性量測系統 VEM system | 0 | 10 | 不開放 | |||
| CF-M06 | 音波式粒徑分析儀Particle Size Analyzer | 0 | 0.2 元/秒 |
1,000 | 23 | 1,530 | |
| CF-M07 | 接觸角量測系統分析儀Contact-Angle System | 500 | 0.16 元/秒 |
500 | 17 | 1,100 | |
| CF-M09 | 光學折射儀 NK1200 | 0 | 0.3 元/秒 |
0 | 1,200 元/時 |
1,200 | |
| CF-M11 | 雷射刻號機 | 0 | 58 | 0 | 98 | 6,048 | |
| CF-M12 | 汞探針電性量測Hg probe | 0 | 0.1 元/秒 |
0 | 1,445 元/時 |
1,445 | |
| CF-M13 | 應力量測儀 Stress Measur. System | 0 | 23 | 1,000 | 48 | 3,160 | |
| CF-M15 | 四點探針電阻量測系統4-point probe | 0 | 0.2 元/秒 |
0 | 800 元/時 |
800 | |
| CF-M16 | 傅立葉轉換紅外線光譜儀FTIR | 0 | 0.2 元/秒 |
500 | 1,452 元/時 |
1,452 | |
| CF-M17 | 多功能電性量測系統 | 0 | 5 | 不開放 | |||
| CF-M18 | 紫外光可見光光譜儀UV-Vis | 0 | 0.15 元/秒 |
0 | 600 元/時 |
600 | |
| CF-M19 | 金屬膜四點探針量測儀 Metal 4 point probe | 0 | 0.4 元/秒 |
0 | 1,800 元/時 |
1,800 | |
| CF-M20 | 薄膜附著力量測系統Adhesion tester | 業界(with ceramics) | -- | 0 | -- | 5,688 | |
| 學界(without ceramics) | 0 | 27 | 0 | 46 | 2,808 | ||
| CF-M23 | 光學折射儀NK1500 | 0 | 50 | 0 | 67 | 4,500 | |
| CF-M24 | 表面污染分析儀 Surfscan | 0 | 48 | 0 | 73 | 5,000 | |
| CF-M25 | M2000_Ellipsometer 橢圓測厚儀 |
0 | 67 | 0 | 100 | 100 元/分 |
|
| R514 | Chem Lab化學實驗室 | 0 | 5 | 不開放 | |||
| RDT-001 | ALD原子層沉積系統 | 不開放 | 0 | 209 | 209 元/分 |
||
| BIO-001 | 微機電應用實驗室 | 0 | 20 | 不開放 | 20 元/分 |
||
| 註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。 | |||||||
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[Top]
| 機台編號 | 設備名稱 | 自行操作 | 委託代工 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 開機費(元/次) | 使用費 | |||||
| 開機費 (元/次) |
使用費 (元/分) |
學界 (元/分) |
業界 (元/時) |
|||
| SE-001 | 電漿輔助式化學氣相沈積&感應耦合式蝕刻系統(PECVD&ICP) | 0 | 50 | 1,000 | 58 | 6,000 |
| SE-002 | 反應式離子蝕刻系統(STS) | 0 | 17 | 0 | 42 | 5,500 |
| SE-003 | 金屬濺鍍系統(Sputter) | 0 | 22 | 0 | 38 | 2,800 |
| SE-004 | 金屬薄膜電阻量測儀(M-gauge) | 0 | 34 | 1,000 | 50 | 3,080 |
| SE-005 | 四點探針電阻量測(four point probe) | 0 | 0.1 元/秒 |
0 | 不開放委託操作 | |
| SE-006 | 電子顯微鏡(SEM) | 0 | 19 | 0 | 40 | 2,500 |
| SE-007 | 薄膜測厚儀(n&k analyzer) | 0 | 0.3 元/秒 |
0 | 1,500 元/時 |
1,500 |
| SE-008 | 濕式蝕刻清洗系統(Wetbench) | 0 | 20 | 0 | 54 | 3,500 |
| SE-009 | 自動化光阻塗佈及顯影系統(Track) | 0 | 35 | 20,000 | 46 | 11,500 |
| SE-010 | 光罩對準曝光系統(Mask aligner) | 0 | 50 | 20,000 | 50 | 14,000 |
| SE-011 | 射頻濺渡機(RF Sputter) | 0 | 13 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-012 | 高溫及低壓爐管(Oxidation) | 0 | 15 | 0 | 29 | 6,000 |
| SE-012 | 高溫及低壓爐管(多晶矽) | 0 | 30 | 0 | 29 | 10,000 |
| SE-012 | 高溫及低壓爐管(退火) | 0 | 15 | 0 | 29 | 6,000 |
| SE-013 | 光阻去除及濕蝕刻化學槽(Prstrip&wet etching chemical hood) | 0 | 18 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-013 | 光阻去除及濕蝕刻化學槽(有機) | 0 | 18 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-014 | 破片光阻旋轉塗佈機(Spincoater) | 0 | 5 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-015 | 晶片接合設備(Waferbonding) | 0 | 0.15 元/秒 |
0 | 不開放委託操作 | |
| SE-016 | 熱蒸鍍機(Thermal coater) | 0 | 11 | 0 | 36 | 3,500 |
| SE-017 | 光罩對準曝光機(MJB3) | 0 | 6 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-018 | 原子力顯微鏡系統(AFM) | 0 | 5 | 0 | 不開放委託操作 | |
| SE-019 | 表面輪廓量測儀(Profile meter) | 0 | 17 | 1,000 | 33 | 2,000 |
| SE-020 | 鍍金機(Gold Sputter) | 0 | 0.2 元/秒 |
0 | 不開放委託操作 | |
| SE-021 | 熱燈絲化學氣相沉積系統 | 0 | 30 | 0 | 38 | 38 元/分 |
| SE-C01 | 太陽光模擬器與IV量測系統(Science Tech 150W) | 0 | 15 | 0 | 24 | 5,000 |
| SE-C02 | 全波段入射光子轉換效率光度計(IPCE) | 0 | 27 | 0 | 43 | 3,500 |
| SE-C03 | 表面修飾製程塗佈系統 | 0 | 0.1 元/秒 |
0 | 不開放委託操作 | |
| SE-C04 | 紫外光/可見光 光譜儀(UV-VIS-NIR Spectrophotometer) | 0 | 20 | 0 | 36 | 2,340 |
| SE-C05 | 螢光光譜儀(photoluminescence) | 0 | 20 | 0 | 37 | 2,340 |
| SE-C06 | 直流量測系統(HP4145B) | 0 | 7 | 600 | 55 | 3,400 |
| SE-C07 | 高頻S參數量測設備(HP8510C) | 0 | 0.22 元/秒 |
0 | 不開放委託操作 | |
| SE-C08 | 電子槍蒸鍍系統 | 0 | 40 | 0 | 50 | 50 元/分 |
| SE-C10 | 氮氣手套箱及有機金屬蒸鍍系統 | 0 | 21 | 0 | 29 | 29 元/分 |
| 註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。 | ||||||
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[Top]
| 設備編號 | 設備名稱 | 收費標準 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 自行操作 收費標準 (元/秒) |
委託代工 收費標準 (元/小時) |
備註 | |||
| N/A | 薄膜測厚儀 (ALPHA STEP) | 0 | 1,200 | 因機台老舊故自行操作已不收費 | |
| NM-001 | 場發射掃描式電子顯微鏡 (FESEM) | 0.4 | 2,550 | ||
| NM-002 | 大試片掃描探針顯微鏡(8吋晶片) (AFM) | 0.45 | 3,000 | 1,700 高解析AFM才需增加材料費 |
|
| NM-004 | 歐傑電子顯微鏡 (SAM/ESCA) | -- | 5,455 | ||
| NM-005 | 離子減薄機 | 0.1 | -- | ||
| NM-006 | 場發射穿透式電子顯微鏡 (TEM) | 1.5 | 10,800 | ||
| NM-007 | 原子力顯微鏡系統 (破片) |
C-AFM 功能 | 0.6 | 4,000 | 2,700 需求導電金屬探針才需額外增加材料費 |
| AFM 功能 | 3,000 | 1,700 高解析AFM才需增加材料費 |
|||
| NM-008 | X光薄膜繞射儀 (XRD) | θ-2θ scan | 0.6 | 2,500 | |
| GIXRD | |||||
| NM-009 | 熱場發射掃描式電子顯微鏡 (TFSEM) | 0.6 | 3,500 | ||
| NM-010 | 試片製備--Silicon 製程 | Plane view | 0.2 | 10,000/片 | |
| Cross-section | 15,000/片 | ||||
| 試片製備--Sapphire 製程 | Plane view | 0.2 | 15,000/片 | ||
| Cross-section | 20,000/片 | ||||
| 試片製備--其它製程 | 0.2 | 依材料特性估價 | |||
| NM-011 | 低溫強磁場系統(LTHM VTI) | -- | 1,500 最低使用時數4 (小時/樣品數) |
||
| NM-012 | 傅氐紅外線光譜(FTIR) | -- | 500元/次 +1,500元/小時 |
||
| NM-013 | 二次離子質譜儀(SIMS) | -- | 學界:5,000 業界:11,000/單位 |
||
| NM-014 | 電性掃描探針顯微鏡D3100 | -- | AFM:50 電性掃描:67 (元/分) |
||
| 註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。 | |||||
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| 設備編號 | 設備名稱 | 收費標準 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 自行操作 收費標準 (元/秒) |
委託代工 收費標準 |
備註 | |||
| HF-001 | 奈米元件參數量測系統 | 0.36 | 5,000 (元/小時) |
5,000 非標準量測組態方需加計此材料費用 |
|
| HF-003 | 50 GHz元件高頻S參數量測系統 | 0.7 | 5,500 (元/小時) |
||
| HF-004 | 高頻雜訊參數量測系統 | 1-18 GHz | 0.84 | 6,000 (元/小時) |
|
| 18-65 GHz | 不開放 | 7,000 (元/小時) |
|||
| HF-005 | 高頻功率參數量測系統 | 0.98 | 6,500 (元/小時) |
||
| HF-006 | 高頻電路量測系統 | 67 GHz以下 | 0.98 | 6,000 (元/小時) |
|
| 67 GHz以上 | 不開放 | 7,000 (元/小時) |
|||
| HF-007 | 元件低頻雜訊參數量測系統 | 0.28 | 4,000 (元/小時) |
||
| HF-009 | 110 GHz元件高頻S參數量測系統 | 不開放 | 7,000 (元/小時) |
||
| HF-010 | 非線性向量網路分析量測系統 | 不開放 | 7,000 (元/小時) |
||
| HF-011 | IV & CV 電性量測系統 | 0.2 | 不開放 | ||
| HF-012 | 功率元件量測系統 | 不開放 | 85 (元/分) |
||
| HF-013 | 毫米波雜訊/功率參數量測系統 | 不開放 | 120 (元/分) |
||
| HF-014 | 220GHz元件高頻S參數量測系統 | 不開放 | 120 (元/分) |
||
| 註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。 | |||||
| 註:委託代工時數需視實際狀況加計半小時(例如標準校正)至2小時(例如Waveguide型態架設)不等之前置作業時間。 | |||||
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