元件技術
奈米CMOS元件製程技術
| 本元件研發將著重於「高遷移率Ge通道short channel MOSFET」，輔以high-k閘極材料及奈米線製程技術，以建立新型奈米電子元件平臺，及發展在高速記憶體及感測方面之新穎結構與應用，期望NDL在矽電子元件有世界級的指標性研發成果。 |
 |
(C) 2012 National Nano Device Laboratories. All rights reserved. |
財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 版權所有 |
|
Web Master: webmaster@ndl.narl.org.tw |