育才、業務推廣與專利
專利推廣
| 財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室依據政府制訂之「科學技術基本法」與「政府科學技術研究發展成果歸屬及運用辦法」，透過技術移轉將本實驗室之研究成果擴散至產業界，期能提升產業界競爭力。目前本中心提供之專利技術資訊如下。 | |||
| 專利名稱：Method of Manufacturing Embedded Metal-oxide-nitride-oxide-silicon Memory Device內嵌式之金屬氧氮氧矽記憶體元件及製造方法 |  |
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| 8048747B1 | |||
| 專利名稱：奈米級鍺金屬結構的製造方法 |  |
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| 352686 | |||
| 專利名稱：Method for Growing Ge Epitaxial Layer on Patterned Structure with Cyclic Annealing圖形定義與循環式高溫退火處理成長鍺薄膜之方法 | |
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| 7851378B2 | |||
| 專利名稱：可調式傳輸零點之低雜訊高增益主動式濾波器 | |
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| 329984 | |||
| 專利名稱：鐵電元件之結構 | 166577 |
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| 專利名稱：ArF及F2微影術的雙層底抗反射層之結構及製造方法 | 165755 |
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| 專利名稱：含有晶種層之鐵電元件結構及其製造方法 | 182605 |
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| 專利名稱：半導體元件之底部抗反射層 | 178646 |
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| 專利名稱：自我對準之複晶矽間隙壁閘極之單電子電晶體結構及其製造方法 | |||
186572 |
6894352B2 |
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| 專利名稱：蕭特基金屬氧化物半導體元件結構 | 186551 |
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| 專利名稱：一種低反射之相位及穿透率可調之光罩結構 | I227369 |
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| 專利名稱：電性掃描探針顯微鏡裝置 | 6975129B2 |
7193424B2 |
I288248 |
| 專利名稱：具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法 | I232582 |
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| 專利名稱：用於射頻與直流量測的元件監視器 |
I228597 |
7126359 |
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| 專利名稱：雙模態帶通濾波器 | I244260 |
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| 專利名稱：高混附波抑制之微波濾波器 | I250688 |
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| 專利名稱：灰階投影式光學裝置 | I313792 |
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| 專利名稱：近紅外波段飛秒雷射在非晶矽退火的應用方法 | I245321 |
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| 專利名稱：利用矽酸鉿奈米微粒備製之非揮發性快閃記憶體 | I245375 |
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| 專利名稱：微遮蔽線與導體背面共面波導之轉換器 | I249261 |
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| 專利名稱：電性掃描探針顯微鏡之前翼式探針懸臂 | |||
 1610345B1 |
I264542 |
7210340B2 |
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| 專利名稱：靜電式微機械邏輯閘 | I288741 |
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| 專利名稱：以【110】單軸拉伸應變提升電子遷移率之Ge nMOSFET 構造 | |||
I290360 |
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| 專利名稱：紫外-可見光光偵測器 | I287628 |
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| 專利名稱：一種矽基鐵電型記憶體材料 | I307162 |
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| 專利名稱：相變化記憶體的結構 | I316302 |
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